1.1.存儲芯片是市場規(guī)模巨大的集成電路產(chǎn)品之一

（1）存儲芯片屬于半導(dǎo)體中集成電路的范疇，是目前應(yīng)用面最廣、標(biāo)準(zhǔn)化程度最高的 集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。半導(dǎo)體按照產(chǎn)品分類可分為光電器件、傳感器件、分立器件和 集成電路四大類，占半導(dǎo)體價(jià)值量比例最高的為集成電路，約占整個半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模 的 82.64%，其主要包括模擬芯片、微處理器芯片、邏輯芯片和存儲芯片等四種。根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，2022 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為 5740.84 億美元，集成電路占比達(dá) 83%， 其中存儲芯片市場規(guī)模為 1297.67 億美元，占整個半導(dǎo)體行業(yè)的 23%，由此可以看出，存 儲芯片和邏輯芯片在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中貢獻(xiàn)的價(jià)值量最大。

（2）存儲設(shè)備是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件，按存儲介質(zhì)不同可分 為光學(xué)存儲、磁性存儲和半導(dǎo)體存儲。光存儲器是指用光學(xué)方法從光存儲媒體上讀取和存 儲數(shù)據(jù)的一種設(shè)備，一般指光盤機(jī)、光帶機(jī)和光卡機(jī)等；磁性存儲，是指利用磁能方式存 儲信息的磁介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程需要磁性盤片的機(jī)械運(yùn)動，目前廣泛應(yīng)用于 PC 硬盤、移動硬盤等領(lǐng)域；存儲芯片，又稱為半導(dǎo)體存儲器，是指利用電能方式存儲信息的 半導(dǎo)體介質(zhì)設(shè)備，其存儲與讀取過程體現(xiàn)為電子的存儲或釋放，廣泛應(yīng)用于內(nèi)存、U 盤、 消費(fèi)電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。按照斷電后是否保留存儲的信息，存儲芯片 主要可分為易失性存儲芯片（RAM）和非易失性存儲芯片（ROM）。RAM 為隨機(jī)存儲器， 斷電后不會保存數(shù)據(jù)，主要產(chǎn)品包括 SRAM 和 DRAM，DRAM 即動態(tài)隨機(jī)存儲器，使用 電容存儲，DRAM 的一個比特使用一個電容和一個晶體管存儲，由于電容會漏電，因此需 要定時(shí)刷新一次存儲單元來保持?jǐn)?shù)據(jù)；SRAM 即靜態(tài)隨機(jī)存儲器，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)比 DRAM 復(fù) 雜，可以在不刷新電路下保存數(shù)據(jù)。ROM 是一種存儲固定信息的存儲器，在正常工作狀態(tài) 下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)，在外部電源切斷后仍能保存數(shù)據(jù)，讀取 速度較慢但存儲容量更大，主要包括 EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）、Flash (閃 存芯片)、PROM(可編程只讀存儲器)、EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)等。

（3）根據(jù)具體的功能，可以將計(jì)算機(jī)中的存儲器細(xì)分為寄存器、高速緩存、主存儲器、 磁盤緩存、固定磁盤、可移動存儲介質(zhì)等 6 層。從 CPU Cache、內(nèi)存到 SSD 和 HDD，構(gòu) 成了計(jì)算機(jī)的存儲體系，各層只和相鄰的層交換數(shù)據(jù)，隨著層級由高到低，設(shè)備容量變大、 離 CPU 距離變遠(yuǎn)、訪問速度變慢、傳輸時(shí)間變長，并且每字節(jié)的造價(jià)成本也越來越便宜。 CPU 中的寄存器位于最頂部，記為 L0，它使用 SRAM 芯片做成，集成在 CPU 的內(nèi)部，其 容量有限、速度極快、和 CPU 同步；緩存是一種小而快的存儲器，一般作為 DRAM 的緩 沖，采用 SRAM 技術(shù)實(shí)現(xiàn)，通常也會被集成在 CPU 內(nèi)部；主存一般由 DRAM 組成，和 SRAM 不同，其存儲密度更高，容量更大，價(jià)格更低，速度也更慢。綜合來看，SRAM 價(jià) 格貴、速度快，DRAM 價(jià)格便宜、容量更大，SSD 和 HDD 硬盤作為外部存儲設(shè)備容量更 大、成本更低、離 CPU 更遠(yuǎn)、訪問速度更慢。

（4）DRAM 和 FLASH 是目前市場上最為主要的存儲芯片。FLASH 可分為 NOR 和 NAND 兩種，兩者區(qū)別在于存儲單元連接方式不同，導(dǎo)致兩者讀取方式不同，NAND 由于 引腳上復(fù)用，因此讀取速度比 NOR 慢一點(diǎn)，但是擦除和寫入速度比 NOR 快很多；NAND 內(nèi)部電路更簡單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低，市場上一些大容量的 FLASH 都 采用 NAND 型，例如 SSD、U 盤、SD 卡、EMMC。小容量的 2～12M 的 FLASH 多是 NOR 型，NOR 比較適合頻繁隨機(jī)讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行。相比于 Flash 與 Nor，DRAM 具有較高讀寫速度、存儲時(shí)間短等優(yōu)勢，但單位成本更 高，主要用于 PC 內(nèi)存(如 DDR)、手機(jī)內(nèi)存(如 LPDDR)和服務(wù)器等設(shè)備等。

1.2.垂直分工和并購加速產(chǎn)業(yè)鏈整合

（1）存儲芯片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支，下游應(yīng)用空間廣闊。存儲芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上 游參與者包括硅片、光刻膠、靶材、拋光材料、電子特種氣體等半導(dǎo)體材料供應(yīng)商和光刻 機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、封測設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商；產(chǎn)業(yè)鏈中游為存 儲芯片制造商，主要負(fù)責(zé)存儲芯片的設(shè)計(jì)、制造和封測，常見的存儲芯片包括 DRAM、 NAND 閃存芯片和 NOR 閃存芯片等；產(chǎn)業(yè)鏈下游為消費(fèi)電子、汽車電子、信息通信、人 工智能等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)，各類電子化和智能化設(shè)備都離不開存儲芯片應(yīng)用。

（2）存儲芯片按照制造流程又可細(xì)分為一條完整的產(chǎn)業(yè)鏈。存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈主要由集 成電路設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝和測試、模組廠商集成等環(huán)節(jié)組成，從經(jīng)營模式來看，主要 分為 IDM 和垂直分工模式。IDM 模式指企業(yè)業(yè)務(wù)覆蓋 IC 設(shè)計(jì)、制造、封裝和測試的所有 環(huán)節(jié)，大部分國際存儲芯片大廠均為 IDM 模式，例如東芝半導(dǎo)體、三星半導(dǎo)體、飛索半導(dǎo) 體、美光科技等大型跨國企業(yè)。另一種模式為垂直分工模式，即 Fabless（無晶圓制造的設(shè)計(jì)公司）+Foundry（晶圓代工廠）+OSAT（封裝測試企業(yè)），F(xiàn)abless 模式是指無晶圓 生產(chǎn)線集成電路設(shè)計(jì)模式，即企業(yè)只進(jìn)行集成電路的設(shè)計(jì)和銷售，將制造、封裝和測試等 生產(chǎn)環(huán)節(jié)外包，例如高通、聯(lián)發(fā)科、AMD、華大半導(dǎo)體等；Foundry 即晶圓代工廠，它是 一種只負(fù)責(zé)芯片制造，不負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的一種產(chǎn)業(yè)運(yùn)作模式，這類企業(yè)典型代表為臺 積電、聯(lián)電、中芯國際等；OSAT 指專門從事半導(dǎo)體封裝和測試的企業(yè)，比如日月光、 Amkor、長電、通富微電等。

（3）垂直分工模式進(jìn)一步深化，降低成本同時(shí)顯著提升產(chǎn)業(yè)運(yùn)作效率。IDM 模式下， 企業(yè)投入大量資金用于晶圓制造設(shè)備和生產(chǎn)線的建設(shè)，內(nèi)部各環(huán)節(jié)協(xié)同生產(chǎn)，整體規(guī)模效 應(yīng)顯著，毛利率也會上升；但 IDM 模式下，企業(yè)內(nèi)部管理成本增加，因此，IDM 模式適合 規(guī)模巨大的企業(yè)。Fabless 模式注重輕資產(chǎn)運(yùn)營，更為靈活，可以充分利用半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 資源，集中主要精力用于產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)迭代，適應(yīng)激烈的市場競爭環(huán)境，快速發(fā)展，缺 點(diǎn)是無法實(shí)現(xiàn)工藝協(xié)同，同時(shí)需要承擔(dān)各種市場風(fēng)險(xiǎn)，相對來說適合小企業(yè)經(jīng)營。存儲芯 片標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，國際巨頭大部分采取 IDM 模式運(yùn)行，國內(nèi)存儲企業(yè)由于規(guī)模較小，剛 開始從小眾市場切入，多數(shù)采用 Fabless 模式，隨著企業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大，長期或?qū)⑾?IDM 模 式轉(zhuǎn)型。近些年，國內(nèi)大型存儲項(xiàng)目長江存儲、合肥長鑫、福建晉華均是 IDM 模式的大型 晶圓廠布局。

（4）行業(yè)發(fā)展和技術(shù)升級驅(qū)動產(chǎn)業(yè)鏈模式變化，并購加速產(chǎn)業(yè)鏈整合。在臺積電成立 以前，半導(dǎo)體行業(yè)只有 IDM 一種模式，經(jīng)過半個多世紀(jì)發(fā)展，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈逐步朝向 分工和整合趨勢發(fā)展。1）產(chǎn)業(yè)鏈分工：摩爾定律推動半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)不斷更新迭代，同時(shí) 帶動生產(chǎn)制造設(shè)備的升級改造，先進(jìn)工藝晶圓廠資金投入增加，F(xiàn)oundry 模式能最大化的 分?jǐn)偧夹g(shù)升級成本和利用產(chǎn)能，提高資本支出的收益率。IDM 企業(yè)為了減少投資風(fēng)險(xiǎn)、輕 資產(chǎn)化，逐漸采取 Fablite（輕晶圓廠）策略，將部分非核心和高難度工藝制造業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)為第 三方代工，自身保留其余制造業(yè)務(wù)。2）產(chǎn)業(yè)鏈整合：半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新的發(fā)展階段，通過 并購，企業(yè)間可以基于業(yè)務(wù)層面的協(xié)同互補(bǔ)，擴(kuò)展產(chǎn)品條線和客戶群體，縮減成本的同時(shí) 實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的供應(yīng)鏈溢價(jià)，提升行業(yè)市占率。因此，隨著技術(shù)進(jìn)步，全球分工模式越來越多， 同時(shí)，大企業(yè)不斷成長又不斷合并為 IDM 模式，產(chǎn)業(yè)循環(huán)往復(fù)，推動全球技術(shù)不斷推進(jìn)。

1.3.存儲產(chǎn)業(yè)在空間上經(jīng)歷兩次遷移

（1）存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)源于美國，此后經(jīng)歷過兩次大的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。進(jìn)入 1960 年代后， 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展，電子行業(yè)開始了將集成電路技術(shù)用于計(jì)算機(jī)存儲領(lǐng)域的嘗試，存 儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈從垂直整合到垂直化分工越來越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)遷移，遷 移路徑由美國至日本再到韓國。1）美國：行業(yè)市占率居前的主要廠商也隨著產(chǎn)業(yè)遷移發(fā)生 了明顯的變化，最開始由美國加州的 Advanced Memory System 公司生產(chǎn)出了世界上第一 款 DRAM 芯片（容量僅有 1KB），隨后英特爾、德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、美 光等存儲廠商逐漸發(fā)展壯大。2）日本：1976 年，為了發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，日本通過舉 國體制，成立了 VLSI 聯(lián)合研發(fā)體，隨后成功研制出 64K DRAM，追平了美國研發(fā)進(jìn)度； 到了 1980 年代，日本廠商憑借質(zhì)量和價(jià)格優(yōu)勢，開始反超美國，市占率逐漸達(dá)到全球第 一；1985 年，美蘇冷戰(zhàn)氣氛不斷減弱，日美貿(mào)易摩擦不斷增加，美國開始對日本經(jīng)濟(jì)實(shí)施 打壓，在陸續(xù)的施壓下，日本存儲芯片市場份額一落千丈，很快喪失了主導(dǎo)權(quán)。3）韓國：韓國企業(yè)抓住了美日半導(dǎo)體競爭的契機(jī)，在美國的技術(shù)轉(zhuǎn)讓和市場準(zhǔn)入扶持下，三星電子 脫穎而出，逐漸趕超日本。

（2）存儲市場加速發(fā)展，國內(nèi)廠商異軍突起。2016 年之前，國內(nèi)沒有生產(chǎn) DRAM、 Flash 的能力，直到合肥長鑫、長江存儲成立。2019 年，中國大陸公司開始全面進(jìn)軍存儲 器市場，長江存儲 64 層 3D NAND Flash 進(jìn)入量產(chǎn)階段，緊接著合肥長鑫宣布中國大陸第 一座 12 英寸 DRAM 工廠投產(chǎn)，并宣布首個 19 納米工藝制造的 8Gb DDR4。三年時(shí)間里， 國內(nèi)相繼攻克了 3D NAND Flash 和 DRAM 技術(shù)，在一定程度上打破了內(nèi)存和閃存制造國 際寡頭壟斷的局面。國內(nèi)存儲芯片起步晚，要實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)先任重道遠(yuǎn)，先進(jìn)制造技術(shù)仍掌 握在國際大廠的手里，因此，存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要長期的資金投入和技術(shù)革新，解決生 產(chǎn)制造中不良率的下降以及產(chǎn)能的上升，提高性能指標(biāo)。

1.4.存儲芯片技術(shù)發(fā)展趨勢

（1）DDR、LPDDR、GDDR 是基于 DRAM 的三種內(nèi)存規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)。固態(tài)技術(shù)協(xié)會 （JEDEC） 定義了三種 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)類別，幫助設(shè)計(jì)人員滿足目標(biāo)應(yīng)用的功耗、性能和規(guī) 格要求。標(biāo)準(zhǔn) DDR：面向服務(wù)器、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺式機(jī)和消費(fèi)類應(yīng)用，支 持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸，其發(fā)展路線通過提升核心頻率來提高 性能。移動 DDR（LPDDR)： 面向移動式電子產(chǎn)品和汽車這些對規(guī)格和功耗非常敏感的領(lǐng) 域，提供更窄的通道寬度和多種低功耗運(yùn)行狀態(tài)，四代之前是基于同代 DDR 發(fā)展，四代之 后是基于應(yīng)用端獨(dú)自發(fā)展，通過提高 Prefetch 預(yù)讀取位數(shù)來提升性能。圖形 DDR (GDDR)： 面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序，例如圖形相關(guān)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心加速和 AI， 是應(yīng)用于高端顯卡的高性能 DDR 存儲器，側(cè)重于數(shù)據(jù)位寬、遠(yuǎn)超同期 DDR 的運(yùn)行頻率。

（2）DDR 因其性能和成本優(yōu)勢成為目前 PC 和服務(wù)器端主流內(nèi)存。SDRAM 也可稱 為 SDR SDRAM，即單倍數(shù)據(jù)傳輸率，SDR SDRAM 的核心、I/O、等效頻率皆相同，在 1 個周期內(nèi)只能讀寫 1 次，若需要同時(shí)寫入與讀取，必須等到先前的指令執(zhí)行完畢，才能接 著存取。DDR 是用于系統(tǒng)的 RAM 技術(shù)，規(guī)范名稱為 DDR SDRAM，即雙倍速率同步動態(tài) 隨機(jī)存儲器，其特點(diǎn)是高帶寬、低延時(shí)，DDR 總線每個通道是 64bit 寬度，每根 Data 的管 腳可以進(jìn)行讀操作或?qū)懖僮鳎ú煌瑫r(shí)）。目前已推出的 DDR1-DDR5 是由 JEDEC 制定的產(chǎn) 品標(biāo)準(zhǔn)，從 DDR1 到 DDR5 的演進(jìn)路線來看，DDR 的能耗越來越低，傳輸速度越來越快、 存儲容量也越來越大，目前的最新標(biāo)準(zhǔn)是 DDR5，起步速率為 4800MT/S，最高可達(dá) 6400 MT/S，電壓則從 1.2V 降至 1.1V，功耗減少 30%。目前，三星已經(jīng)率先開始了下一代 DDR6 內(nèi)存的早期開發(fā)，預(yù)計(jì)其 DDR6 設(shè)計(jì)將在 2024 年之前完成，在 2025 年之后開始商 業(yè)應(yīng)用。

（3）受益于終端需求快速發(fā)展，LPDDR 和 GDDR 步入高速迭代期。LPDDR，即低 功率雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，是 DDR SDRAM 的一種，又被稱為 mDDR（Mobile DDR SDRAM），擁有比同代 DDR 內(nèi)存更低的功耗和更小的體積。目前智能手機(jī)普遍使用 的 LPDDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)是 2019 年 2 月由 JEDEC 協(xié)會正式發(fā)布，相較于上一代 LPDDR4 標(biāo) 準(zhǔn)，LPDDR5 的 I/O 速度提升到 6400 MT/s，是 LPDDR4 速度的兩倍，比 LPDDR4X 的 4266MT/S 快了 50%。GDDR，是用于顯示的 RAM 技術(shù)，其特點(diǎn)是高帶寬、高延時(shí)，目 前最新的標(biāo)準(zhǔn)是 GDDR6，2022 年 7 月，三星推出了首款具有 24Gbps 處理速度的 GDDR6 顯存。

（4）DRAM 的先進(jìn)制程工藝已經(jīng)縮小到 15nm 以下，各大廠商繼續(xù)向 10nm 逼近。 從制程工藝的進(jìn)展來看，早前 DRAM 產(chǎn)品的更新時(shí)間大致在 3 到 5 年更新一代，在步入 20nm 以內(nèi)突破進(jìn)展呈現(xiàn)放緩趨勢，10nm~20nm 系列制程至少包括六代，大約每兩年實(shí)現(xiàn) 一次突破。由于電路結(jié)構(gòu)是三維的，使用線性的衡量方式并不適合，存儲行業(yè)通常使用 1X、 1Y、1Z、1α、1β、1γ 之類的術(shù)語表達(dá)制程。國際存儲大廠三星電子、SK 海力士和美光相 繼在 2020 年后進(jìn)入 1Znm 階段，美光 1βnm DRAM 在 2022 年 11 月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并率先應(yīng) 用在智能手機(jī)端的 LPDDR5X；三星在 2022 年 12 月底推出 12 nm DRAM，功耗較前一代 降低 23%；SK 海力士最新一代 DRAM 為 1a nm，預(yù)計(jì) 2023 年將會實(shí)現(xiàn) 1b nm（即 12 nm）DRAM 的量產(chǎn)。中國本土 DRAM 廠商主要有合肥長鑫、紫光國芯、兆易創(chuàng)新、東芯 股份和福建晉華等，兆易創(chuàng)新依托合肥長鑫的代工資源，2021 年推出首款自研 4Gb DRAM，采用 19nm 制程工藝，目前即將推出 17nm 產(chǎn)品；北京君正采用中國臺灣力晶、 南亞科技的 25nm 工藝平臺；紫光國芯、東芯股份等最新工藝制程為 25nm。

（4）分季度來看，2022 年成為拐點(diǎn)，存儲市場規(guī)模增長步入尾聲。三年疫情期間， 存儲市場需求上升，市場規(guī)模增長較快，據(jù) CFM 閃存市場預(yù)計(jì)，2021 年 Q3 DRAM 市場 規(guī)模增長 9%至 264 億美元，NAND Flash 市場規(guī)模增長 15%達(dá)到 186 億美元，之后 DRAM/NAND 市場規(guī)模開始下降，到 2022 年 Q4 存儲市場規(guī)模已經(jīng)回到 2019 年 Q1、Q2 的周期底部水平，在淡季效應(yīng)下 2023 年一季度環(huán)比續(xù)跌，二季度或?yàn)?2023 年最低點(diǎn)，預(yù) 計(jì)從 2023 年下半年起，存儲市場規(guī)模將逐季增長，在需求改善的前提下有望回到之前的 增長速度和市場規(guī)模。

2.2.消費(fèi)類終端設(shè)備搭載存儲容量持續(xù)增長

（1）存儲下游應(yīng)用空間廣泛，主要以消費(fèi)電子和服務(wù)器為主。存儲器產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋 智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、汽車電子等行業(yè)以及個人移動存儲等領(lǐng)域， 不同應(yīng)用場景對存儲器的參數(shù)要求復(fù)雜多樣，涉及容量、讀寫速度、功耗、尺寸、穩(wěn)定性、 兼容性等多項(xiàng)內(nèi)容，由此也形成了不同的產(chǎn)品形態(tài)。DRAM 中，LPDDR 主要與嵌入式存 儲配合應(yīng)用于智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子產(chǎn)品，近年來亦應(yīng)用于功耗限制嚴(yán)格的個人電腦 產(chǎn)品，DDR 主要應(yīng)用于服務(wù)器、個人電腦等，DRAM 市場需求主要以手機(jī)、PC 和服務(wù)器 為主，2021 年占比分別為 35%/16%/33%。NAND Flash 包括嵌入式存儲（用于電子移動 終端低功耗場景）、固態(tài)硬盤（大容量存儲場景）和移動存儲（便攜式存儲場景）等，其中 嵌入式存儲市場主要受智能手機(jī)、平板等消費(fèi)電子行業(yè)驅(qū)動，固態(tài)硬盤下游市場包括服務(wù) 器、個人電腦，移動存儲廣泛應(yīng)用于各類消費(fèi)者領(lǐng)域，2021 年，應(yīng)用于 mobile 端的嵌入 式存儲產(chǎn)品、應(yīng)用于 PC 端的 cSSD 和應(yīng)用于服務(wù)器端的 eSSD 產(chǎn)品分別占比 34%、22% 和 26%。

（2）作為存儲芯片下游重要的細(xì)分市場，智能手機(jī)景氣度成為存儲市場發(fā)展的核心驅(qū) 動力之一。隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展和移動互聯(lián)網(wǎng)的普及，手機(jī) ROM 和 RAM 分別成為嵌入式 NAND Flash 和 DRAM 的核心市場。得益于 3G/4G 通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)，全球智能手機(jī) 市場出貨量從 2010 年的 3.05 億臺迅速遞增至 2016 年的 14.73 億臺，2017 年開始智能手 機(jī)市場趨向飽和，主要是 4G 智能手機(jī)增量市場觸及天花板，智能手機(jī)整體出貨量主要受 存量市場手機(jī)單位存儲容量增長驅(qū)動。2019 年是 5G 商用化元年，隨著 5G 逐漸普及，新 一輪的換機(jī)周期開啟，智能手機(jī)終端新需求進(jìn)一步打開。

（3）存儲芯片價(jià)格下跌，助推終端廠商容量配置升級。智能手機(jī)對于存儲芯片需求不 只取決于手機(jī)出貨量，同時(shí)取決于單臺手機(jī)的存儲容量。目前主流智能手機(jī)的存儲容量為 256GB 至 512GB，緩存容量為 8GB 至 12GB，隨著 5G 手機(jī)滲透率的逐步提升，智能手 機(jī)的性能進(jìn)一步升級，單臺智能手機(jī)的 RAM 模塊（LPDDR）和 ROM 模塊（嵌入式 NAND Flash）均在經(jīng)歷持續(xù)、大幅地提升。RAM 擴(kuò)容是 CPU 提升處理速率的必要條件， 功能更為強(qiáng)大的移動終端將允許手機(jī)搭載功能更為復(fù)雜、占據(jù)存儲容量更大的軟件程序， 且消費(fèi)者通過移動終端欣賞更高畫質(zhì)、音質(zhì)內(nèi)容物的消費(fèi)習(xí)慣亦會進(jìn)一步持續(xù)推動智能手 機(jī) ROM 擴(kuò)容。2023 年智能手機(jī)在生產(chǎn)數(shù)量上增長平緩，平均搭載容量增加為移動端 NAND 需求增長的主要驅(qū)動力，集邦咨詢預(yù)計(jì)隨著 UFS 價(jià)格回調(diào)，2023 年 Q4 256GB 占 比有望突破 30%。

（4）PC 市場需求有所回落，單臺設(shè)備存儲容量持續(xù)增加。三年疫情帶來工作、生活 方式的轉(zhuǎn)變，而平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程辦公、在線教育場景需求，出貨量大幅增長， 2020 年、2021 年出貨量同比增長 13.47%和 15.27%，但疫情并非長期性事件，PC 需求 量持續(xù)高速增長存在較大不確定性，2022 年開始需求已經(jīng)回落。由于 SSD 的制造成本較 高，PC 端數(shù)據(jù)存儲過去主要使用機(jī)械硬盤（HDD），近年來，隨著 NAND Flash 單位存儲 經(jīng)濟(jì)效益持續(xù)凸顯，同時(shí)筆記本電腦，特別是輕薄筆記本電腦對存儲物理空間限制嚴(yán)格， SSD 對 HDD 的替代效應(yīng)顯著。同時(shí)，PC 與其他消費(fèi)電子產(chǎn)品相同，正在經(jīng)歷性能和數(shù)據(jù) 存儲需求的持續(xù)增長，隨著消費(fèi)者處理數(shù)據(jù)的需求不斷增加，單臺設(shè)備的存儲容量需求亦 持續(xù)增加。

2.3.AI&汽車電子驅(qū)動下游景氣復(fù)蘇

（1）數(shù)據(jù)規(guī)模持續(xù)增長，給存儲行業(yè)帶來較大的成長空間。傳統(tǒng)存儲面對的應(yīng)用主要 是數(shù)據(jù)庫、文件和流媒體等傳統(tǒng)應(yīng)用，在新興技術(shù)驅(qū)動下，存儲主要面對的是云計(jì)算、大 數(shù)據(jù)和人工智能等大規(guī)模數(shù)據(jù)應(yīng)用場景。據(jù) IDC 預(yù)測，2025 年，全球數(shù)據(jù)量將達(dá)到 175ZB，5 年年均復(fù)合增長率 31.8%，而數(shù)據(jù)中心存儲量占比將超過 70%。從全球市場來 看，2017-2022 年全球數(shù)據(jù)中心市場保持平穩(wěn)增長趨勢，市場規(guī)模從 465.5 億美元增長至679.3 億美元，五年內(nèi)的年均復(fù)合增長率為 9.91%，預(yù)計(jì) 2023 年全球數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模將 進(jìn)一步增至 820.5 億美元。隨著我國各行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的深入推進(jìn)，我國數(shù)據(jù)中心市場規(guī) 模也將保持持續(xù)增長態(tài)勢，預(yù)計(jì) 2023 年市場規(guī)模將達(dá)到 2470.1 億元。一方面互聯(lián)網(wǎng)巨頭 紛紛自建數(shù)據(jù)中心，同時(shí)傳統(tǒng)企業(yè)上云進(jìn)程加快，兩者共同帶動服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲市場規(guī)模 快速增長。在數(shù)據(jù)中心作為新型基礎(chǔ)設(shè)施加快建設(shè)的背景下，服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲的市場規(guī)模 將繼續(xù)快速增長，存儲板塊的需求也將大幅增加。

（2）“東數(shù)西算”工程全面實(shí)施，服務(wù)器存儲市場有望進(jìn)一步打開。2021 年 5 月，國 家發(fā)展改革委、中央網(wǎng)信辦、工業(yè)和信息化部、國家能源局聯(lián)合印發(fā)《全國一體化大數(shù)據(jù) 中心協(xié)同創(chuàng)新體系算力樞紐實(shí)施方案》，2022 年 2 月，京津冀、長三角、粵港澳大灣區(qū)、 成渝、內(nèi)蒙古、貴州、甘肅、寧夏 8 地啟動了建設(shè)國家算力樞紐節(jié)點(diǎn)，并規(guī)劃了 10 個國家 數(shù)據(jù)中心集群，依托 8 大算力樞紐和 10 大集群，更好引導(dǎo)數(shù)據(jù)中心集約化、規(guī)?；⒕G色 化發(fā)展，促進(jìn)東西部數(shù)據(jù)流通、價(jià)值傳遞，帶動數(shù)據(jù)中心相關(guān)產(chǎn)業(yè)由東向西有效轉(zhuǎn)移。國 家東數(shù)西算戰(zhàn)略不斷取得進(jìn)展，預(yù)計(jì)到 2025 年，韶關(guān)數(shù)據(jù)中心集群將建成 50 萬架標(biāo)準(zhǔn)機(jī) 架、500 萬臺服務(wù)器規(guī)模，投資超 500 億元。東數(shù)西算戰(zhàn)略聚焦于算力和數(shù)據(jù)存儲，工程 的實(shí)施有望進(jìn)一步拉動服務(wù)器數(shù)據(jù)存儲的總體市場規(guī)模，國產(chǎn)企業(yè)級 SSD 廠商有望打開增 量空間。

（3）生成式 AI 市場迅速擴(kuò)張，提高了對 AI 服務(wù)器內(nèi)存的需求。隨著人工智能產(chǎn)業(yè)加 速發(fā)展，全球主要國家和地區(qū)紛紛加快 AI 基礎(chǔ)設(shè)施布局， AI 服務(wù)器通常由 CPU 搭載GPU、FPGA、ASIC 等加速芯片組成，以滿足高吞吐量互聯(lián)的需求，是人工智能基礎(chǔ)設(shè)施 的核心。2022 年全球 AI 服務(wù)器市場規(guī)模約為 183 億美元，預(yù)計(jì) 2023 年全球 AI 服務(wù)器市 場規(guī)模增長 15.30%，將達(dá) 211 億美元。2022 年全球 AI 服務(wù)器出貨量約占整體服務(wù)器比重 近 1%，約為 14.5 萬臺，預(yù)計(jì) 2023 年出貨量將達(dá) 15 萬臺，到 2026 年將增長至 22.5 萬臺。 AI 大模型等人工智能技術(shù)發(fā)展，引發(fā)了對服務(wù)器算力需求的進(jìn)一步增長，智能算力需求爆 發(fā)式增長意味著需要搭載更大的存儲容量以提升處理速度，同時(shí)帶動存儲芯片需求成長。

（4）汽車存儲市場發(fā)展迅速，主要以智能座艙和 ADAS&AD 為主。根據(jù) Yole 報(bào)告， 2021 年，汽車存儲器市場規(guī)模達(dá)到 43 億美元，占全球存儲器市場收入的 2.6%，占汽車半 導(dǎo)體的 10%。汽車存儲器 2021 到 2027 年的年均復(fù)合增長率為 20%，超過同期存儲器市 場和汽車半導(dǎo)體市場的增速。汽車存儲市場由 NAND 和 DRAM 主導(dǎo)，合計(jì)份額為 80%， 其中 DRAM 為 41%，NAND 為 39%，NOR Flash 在汽車領(lǐng)域表現(xiàn)的占有率較高，市場份 額為 15%。具有信息娛樂單元、儀表盤和連接性的駕駛艙是目前主要的汽車存儲用戶， 2021 年占比達(dá)到 71%，ADAS&AD 緊跟其后，成為第二大車載內(nèi)存用戶，2021 年占收入 的 24%，動力總成、底盤和安全以及車身和舒適性等其他領(lǐng)域合計(jì)占需求的 5%。預(yù)計(jì)到 2027 年，智能座艙仍將是存儲領(lǐng)域主要消費(fèi)者，但 ADAS&AD 的收入份額將增至 36%， 技術(shù)方面，DRAM 和 NAND 將占汽車內(nèi)存收入的 90%左右。

（5）自動駕駛等級越高，對車載存儲容量、密度和帶寬的需求也大幅提升。車載市場 目前主要的存儲應(yīng)用包括 DRAM（DDR、LPDDR）和 NAND（eMMC 和 UFS 等），其中 低功耗的 LPDDR 和 NAND 將是主要增長點(diǎn)。高等級自動駕駛汽車對于車載存儲容量、密 度和帶寬的需求更高，將需要采用更高帶寬的存儲器如 LPDDR5、GDDR6 等，以簡化系 統(tǒng)設(shè)計(jì)。以 NAND Flash 為例，主要用于 ADAS 系統(tǒng)、IVI 系統(tǒng)、汽車中控等，作用在于存儲連續(xù)數(shù)據(jù)，隨著自動駕駛等級提升，ADAS 系統(tǒng)對 NAND 容量需求增長顯著，L1/L2 級 ADAS 一般只需主流 8-64GB 的 eMMC，L3 級則提升至 128/256GB，L5 級最高可能超過 2TB，可能進(jìn)一步采用 PCIe SSD。

3.1.存儲芯片市場行業(yè)集中度較高

（1）DRAM 和 NAND Flash 市場集中度高，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)， 2021 年全球存儲市場中，DRAM 占比為 56.3%，NAND 占比為 40%，目前 DRAM 芯片的 市場格局由三星、SK 海力士和美光三家存儲廠商主導(dǎo)，CR3 市場占有率合計(jì)已超過 95%， 最新數(shù)據(jù)來看，2023 年 Q2 三星電子占全球 DRAM 市場營收的 38.14%，SK 海力士占比 達(dá) 32.29%，美光的市占率也達(dá)到 25.03%，市場高度集中，寡頭壟斷的格局使得國內(nèi)廠商 對 DRAM 芯片議價(jià)能力很低，也使得 DRAM 芯片成為我國受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品 之一。NAND Flash 市場經(jīng)過幾十年的發(fā)展，逐漸形成了由三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、 美光、SK 海力士等組成的穩(wěn)定市場格局，2023 年 Q2 三星電子、鎧俠、SK 海力士、西部 數(shù)據(jù)、美光的營收占比分別為 30.18%、20.05%、18.25%、15.09%、11.10%，CR5 合計(jì) 市占率達(dá) 95%，國內(nèi)的長江存儲也在慢慢進(jìn)入 NAND 市場，但市占率相對較低。

（2）NOR 行業(yè)經(jīng)歷二十多年演變，頭部廠商經(jīng)歷多次洗牌。2003 年由 AMD 和富士 通整合各自的閃存業(yè)務(wù)合并成立飛索半導(dǎo)體，后逐漸發(fā)展為 NOR Flash 領(lǐng)域頭部廠商，然 而在 2009 年，公司申請了破產(chǎn)保護(hù)，三星電子也在 2010 年開始宣布退出 NOR 市場，由 英特爾和意法半導(dǎo)體在 2008 年合資成立的恒億也在 2010 年被美光收購。全球 NOR 市場 空間經(jīng)過較長時(shí)間的下行，國際巨頭美光和賽普拉斯于 2017 年先后宣布逐步退出中低容 量的消費(fèi)電子市場，美光和賽普拉斯的退出使華邦、旺宏和兆易創(chuàng)新的份額開始上升，另 外產(chǎn)能的減少也改善了市場的供需關(guān)系，2017 年之后，全球 NOR Flash 市場被旺宏、華 邦、賽普拉斯、美光和兆易創(chuàng)新壟斷。

（3）國際存儲巨頭相繼退出 NOR Flash 市場，龍頭占據(jù)主要份額。NOR Flash 屬于 利基型存儲，在全球存儲市場份額很小，根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年全球存儲市場中，NOR 占比僅為 2.1%。2015-2021 年，受 5G、TWS 等新智能設(shè)備，以及居家辦公、遠(yuǎn)程教育等 需求帶動，NOR Flash 市場規(guī)模保持穩(wěn)定增長，2021 年市場規(guī)模達(dá)到 28.84 億美元，同比 增長 15.36%，其中旺宏、賽普拉斯、華邦、美光和兆易創(chuàng)新成為 NOR Flash 全球前五大 供應(yīng)商，2017 年占據(jù)全球 92%以上的市場份額。隨著 2017 年國際存儲巨頭美光、賽普拉 斯相繼退出低端 NOR 市場，華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新則逐漸占據(jù) NOR Flash 剩余的主要市 場份額，2021 年三家存儲廠商的市占率分別為 35%、33%和 23%，CR3 合計(jì)市占率達(dá)到 91%，國內(nèi)廠商例如普冉股份、北京君正、東芯股份、恒爍股份等也迅速加入市場。

（4）國內(nèi)廠商加快產(chǎn)業(yè)鏈布局，聚焦利基型存儲市場。存儲芯片行業(yè)屬于技術(shù)密集型 產(chǎn)業(yè)，全球存儲芯片市場基本均被韓國、日本以及美國等國家壟斷，國內(nèi)存儲芯片行業(yè)起 步晚，缺乏技術(shù)積累，國內(nèi)廠商除合肥長鑫和長江存儲外，大部分聚焦于利基型市場，與 國際龍頭展開錯位競爭。國內(nèi)代表性存儲芯片設(shè)計(jì)及制造企業(yè)包括兆易創(chuàng)新、長江存儲、 長鑫存儲、武漢新芯、普冉股份等，近年來，中國紫光集團(tuán)旗下長江存儲、武漢新芯，以 及兆易創(chuàng)新及其合作廠商合肥長鑫等在 DRAM 和 Flash 領(lǐng)域逐漸突破技術(shù)壁壘，存儲芯片 供給格局正在悄然變化，從過去高度依賴進(jìn)口，到國產(chǎn)品牌逐漸開始占據(jù)市場。盡管目前 國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展與海外巨頭仍然存在差距，各家存儲芯片產(chǎn)品仍處于投產(chǎn)初期，尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的規(guī)模量產(chǎn)，但隨著國內(nèi)廠商不斷取得關(guān)鍵性技術(shù)突破，市場有望迎來黃金 發(fā)展期。

3.2.國內(nèi)外存儲廠商業(yè)績普遍承壓

（1）需求疲軟及客戶調(diào)整庫存，三星電子存儲業(yè)績大幅下滑。三星電子是全球存儲行 業(yè)龍頭廠商，DRAM 和 NAND Flash 的市占率均位列全球第一。三星電子成立于 1969 年， 1974 年三星收購了韓國半導(dǎo)體公司 50%的股份并于 1979 年收購了剩余股份，改名三星半 導(dǎo)體，并于 1980 年與三星電子合并，進(jìn)一步鞏固了三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的統(tǒng)治地 位。根據(jù)三星電子公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，2022 年 Q3 開始，三星電子業(yè)績開始出現(xiàn)下滑，公司 2023 年 Q2 實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 60.01 萬億韓元，同比-22%/環(huán)比-6%；實(shí)現(xiàn)營業(yè)利潤 0.67 萬億 韓元，同比-95.26%/環(huán)比+4.69%。其中，存儲業(yè)務(wù)營收為 8.97 萬億韓元，同比-57%/環(huán)比 +1%，存儲市況惡化使得三星電子整體業(yè)績回落，不僅存儲營收急速下滑，而且存儲所在 的 DS 部門 2023 年 Q2 虧損 4.36 萬億韓元，上季度虧損 4.58 萬億韓元，環(huán)比虧損收窄。

（2）美光 2023 年 Q3 業(yè)績環(huán)比改善，AI 領(lǐng)域拉動存儲芯片需求增加。美光科技是全 球領(lǐng)先的 DRAM 供應(yīng)商之一，同時(shí)也是 NAND 閃存市場的領(lǐng)軍企業(yè)之一，其存儲芯片行業(yè)市占率全球領(lǐng)先。公司成立于 1978 年，總部位于美國愛達(dá)荷州博伊西市，最初是生產(chǎn) DRAM 芯片的專業(yè)廠商，隨著技術(shù)不斷升級和業(yè)務(wù)范圍的擴(kuò)大，美光科技逐漸成為了集計(jì) 算存儲、移動存儲、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)與通信、工業(yè)與汽車等多個領(lǐng)域的智能存儲解決方案提 供商。公司 2023 財(cái)年第三財(cái)季實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入 37.52 億美元，同比下降 56.58%，其中 DRAM 占營收比重的 71%，NAND 占 27%；三季度調(diào)整后運(yùn)營虧損 14.69 億美元，市場 預(yù)期虧損 16.9 億美元，較上季度虧損 20.77 億美元顯著收窄。受益于生成式人工智能技術(shù) 的加速普及，人工智能服務(wù)器對于內(nèi)存芯片和存儲芯片市場需求拉動，疊加上游減產(chǎn)和渠 道清庫存，傳統(tǒng)的個人電腦和智能手機(jī)市場，存儲芯片供大于求的難題有所緩解，存儲芯 片行業(yè)開始逐漸回溫。

（3）AI 推動高端存儲產(chǎn)品銷售增加，SK 海力士二季度營收虧損收窄。SK 海力士成 立于 1983 年，公司主要生產(chǎn)和提供電腦和移動產(chǎn)品等 IT 設(shè)備必需的 DRAM 和 NAND 閃 存產(chǎn)品，在世界 IT 產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位，是世界第二大內(nèi)存芯片廠商。自 1984 年生產(chǎn) 16Kb SRAM 以來，之后持續(xù)提供世界最小、最高速、最低電壓的內(nèi)存半導(dǎo)體，隨著移動 端和 PC 端用戶量日益增多，對內(nèi)存芯片的需求也越來越多，SK Hynix 加速產(chǎn)品布局，技 術(shù)發(fā)展層層突破。公司 2023 財(cái)年第二財(cái)季實(shí)現(xiàn)營收 7.31 萬億韓元，較一季度 5.09 萬億韓 元環(huán)比增長 44%，同比減少 47%；經(jīng)營虧損 2.88 萬億韓元，相比去年同期是由盈轉(zhuǎn)虧， 環(huán)比收窄 15%；凈虧損 2.99 萬億韓元，凈利潤率-41%優(yōu)于 Q1 和去年 Q4。盡管 PC、移 動端市場弱勢，DDR4 等普通 DRAM 價(jià)格持續(xù)下降，但隨著以 ChatGPT 為中心的生成式 AI 市場的擴(kuò)大，用于 AI 服務(wù)器的存儲器產(chǎn)品需求強(qiáng)勢，HBM3、高性能 DDR5 和 LPDDR5 DRAM 等高價(jià)格、高配置產(chǎn)品銷售增加，DRAM 整體 ASP 比第一季度有所提高。

（4）國內(nèi)存儲廠商經(jīng)營狀況下滑，多數(shù)業(yè)績表現(xiàn)不佳。面對全球消費(fèi)電子行業(yè)需求疲 軟、產(chǎn)業(yè)庫存較高、全球通脹、新冠疫情、經(jīng)濟(jì)放緩等多重因素疊加，半導(dǎo)體存儲行業(yè)需 求下滑，存儲產(chǎn)品價(jià)格下滑，市場整體表現(xiàn)下行趨勢。國內(nèi)存儲廠商財(cái)務(wù)表現(xiàn)來看，大多 數(shù)廠商出現(xiàn)營收、歸母凈利潤下滑，盈利水平下降，個別廠商如聚辰股份，把握 DDR 內(nèi)存 模組換代升級以及汽車級 EEPROM 芯片供應(yīng)短缺帶來的市場發(fā)展機(jī)遇，應(yīng)用于 DDR5 內(nèi) 存模組、汽車電子及工業(yè)控制等高附加值市場的產(chǎn)品于 2021 年第四季度起大批量供貨， 帶動公司收入規(guī)模和資產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張。隨著 2023 年下半年消費(fèi)端需求逐步恢復(fù)，存儲 芯片價(jià)格逐漸回暖，各廠商庫存水平恢復(fù)正常，存儲廠商業(yè)績情況有望呈現(xiàn)階段性恢復(fù)。

3.3.頭部存儲廠商紛紛縮減資本開支

（1）存儲大廠紛紛縮減資本支出，降低產(chǎn)能利用率以調(diào)配供需平衡。根據(jù) IC insights 數(shù)據(jù)顯示，全球半導(dǎo)體資本支出在 2021 年增長 35%，2022 年增長 19%后，預(yù)計(jì) 2023 年 下降 14%，達(dá) 1560 億美元。細(xì)分來看，在存儲領(lǐng)域，以 SK 海力士和美光科技為首的存 儲芯片廠商對半導(dǎo)體投資支出顯著下滑，其中，SK 海力士在 2023 年降低 50%資本支出， 美光在 2023 年資本支出下降 42%，存儲廠商龍頭三星電子 2022 年只增加了 5%的資本支 出，2023 年維持上年同等水平。當(dāng)前，存儲市場處于下行周期，全球存儲廠商面臨價(jià)格下 降、產(chǎn)業(yè)本身的周期屬性以及外部經(jīng)濟(jì)環(huán)境下行因素，為應(yīng)對持續(xù)低迷的存儲芯片市場， 三星電子、美光科技、SK 海力士、西部數(shù)據(jù)等存儲芯片大廠都宣布將于 2023 年大幅度減 產(chǎn)、削減資本開支，改善供需結(jié)構(gòu)。

（2）存儲芯片價(jià)格下跌幅度減緩，短期有望筑底反彈。截至 2023 年 8 月，年初至今 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格下跌 30%左右，雖然 DRAM 廠商較早計(jì)劃減產(chǎn)，但由于今年服務(wù)器需求 不如預(yù)期，服務(wù)器 DRAM 供應(yīng)整體溢出嚴(yán)重，部分現(xiàn)貨 DDR 顆粒供應(yīng)過剩，原廠不斷收 縮供應(yīng)過剩的 DDR4 轉(zhuǎn)向利潤更高的 DDR5，市場供需狀況在產(chǎn)能調(diào)動中持續(xù)變化，供需 兩端持續(xù)博弈，部分 DRAM 行情短期承壓。目前存儲行情位于底部橫盤階段，市場仍然處 于爭奪存量需求的階段，在上游廠商減產(chǎn)、資源拉漲和消費(fèi)持續(xù)復(fù)蘇的帶動下，預(yù)計(jì)下半 年存儲行情將持續(xù)回暖。

（3）NAND Flash 價(jià)格日益趨緊，部分產(chǎn)品價(jià)格出現(xiàn)上揚(yáng)趨勢。截至 2023 年 8 月 28 日，SLC 2Gb 256MBx8/SLC 1Gb 128MBx8 現(xiàn)貨價(jià)格分別為 0.79/0.82 美元，環(huán)比 7 月 28 日跌幅為 1.13%/2.26%；MLC 64Gb 8GBx8/MLC 32Gb 4GBx8 現(xiàn)貨價(jià)格分別為 3.86/2.06 美元，環(huán)比小幅增長 0.26%/0.34%，鞏固了 NAND 資源漲價(jià)趨勢；3D TLC 256Gb 現(xiàn)貨價(jià)格為 2.10 美元，環(huán)比保持不變。隨著存儲大廠紛紛宣布大幅減產(chǎn)，NAND 芯片供給端過剩現(xiàn)象將進(jìn)一步改善，8 月渠道需求環(huán)比有所恢復(fù)，存儲行情有底部反轉(zhuǎn)跡 象。

（4）美光在華銷售產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全檢查，國產(chǎn)化自主安全可控需求凸顯。2023 年 5 月 21 日，網(wǎng)信中國發(fā)文稱，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法對美光公司在華銷售產(chǎn)品進(jìn)行了 網(wǎng)絡(luò)安全審查，審查發(fā)現(xiàn)，美光公司產(chǎn)品存在較嚴(yán)重網(wǎng)絡(luò)安全問題隱患，對我國關(guān)鍵信息 基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈造成重大安全風(fēng)險(xiǎn)，影響我國國家安全。為此，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室依法 作出不予通過網(wǎng)絡(luò)安全審查的結(jié)論。按照《網(wǎng)絡(luò)安全法》等法律法規(guī)，國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ) 設(shè)施的運(yùn)營者應(yīng)停止采購美光公司產(chǎn)品。美光是美國的存儲芯片行業(yè)龍頭，也是全球第三 大存儲芯片巨頭，審查結(jié)果將影響美光的產(chǎn)品在中國市場的銷售，三星、SK 海力士將逐漸 取而代之，中國的存儲廠商也能獲得更多市場機(jī)會，此前采購美光存儲晶圓、芯片的中國 存儲模組制造企業(yè)將進(jìn)行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整。

（5）美光在華銷售份額較高，國產(chǎn)替代空間廣闊。根據(jù)美光科技 2022 年財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)， 2022 財(cái)年美光營收為 307.58 億美元，其中中國內(nèi)地為 33.11 億美元，占比為 11%，是除 美國和中國臺灣外第三大市場。在美光銷售的產(chǎn)品中，DRAM 內(nèi)存是其最主要的來源， 2022 年?duì)I收 223.86 億美元，占比 73%，NAND 閃存是第二大產(chǎn)品，2022 年?duì)I收 78.11 億 美元，占比 25%。根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)，全球車規(guī) DRAM 市占率前三分別為美光 （45%）、北京君正（15%）和三星（11%），隨著美光在華銷售產(chǎn)品受到限制，國內(nèi)車載 存儲龍頭北京君正最先受益；SLC NAND 領(lǐng)域，國內(nèi)龍頭東芯股份有望從中受益；此外， 根據(jù) CINNO Research 數(shù)據(jù)，2020 年美光在全球 NOR Flash 市場占約 4%的份額，國內(nèi) NOR Flash 龍頭廠商兆易創(chuàng)新有望加速產(chǎn)品升級以及提高市占率。